拉晶历程全程自动化
在惰性气体情形中，，，，，，用石墨加热器将硅质料熔化，，，，，，
用直拉法生长无位错单晶的装备。。。。。。。
性能优势
装备主体结构优化，，，，，，提高了整机稳固性。。。。。。。
具有拉制12英寸COP FREE半导体单晶硅棒的功效。。。。。。。
接纳新型隔离阀。。。。。。。
液面高度监控系统。。。。。。。
高精度传念头构。。。。。。。
双层水冷套、可升降双层水冷屏。。。。。。。
| 8英寸半导体级单晶炉 | |||
| 型号 | FT-CZ1200Se | ||
| 场合 | 周围温度 | 15 ~ 30℃ | |
| 周围湿度 | ≤65%（无结露，，，，，，侵蚀气体） | ||
| 清洁度 | 5000级净空房 | ||
| 噪音 | ≤75db | ||
| 地基 | 3000kg/㎡以上 | ||
| 电源 | 额定电压 | 380VAC±10%, 3P, 50/60Hz | |
| 额定电容 | 320kVA | ||
| 额定流量 | 500A | ||
| 冷却水 | 流量规模 | 350 ~ 400L/min | |
| 供应压力 | 0.3 ~ 0.5MPa | ||
| 重量 | 装备高度 | ＜8290mm △ | |
| 装备重量 | 约23T | ||
△ 项数据视上炉筒高度而定，，，，，，本装备数据不含磁场。。。。。。。
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